산업통상자원부, 삼성전자·SK하이닉스와 함께 반도체 고급인력 2,365명 양성

[오픈뉴스] 산업통상자원부는 반도체 석박사 고급인력양성을 위한‘민관공동투자 반도체 고급인력양성사업(민관공동 R&D사업)’의 민관공동투자 유치 체결식을 2.23일 서울 보코호텔에서 개최했다.

이날 행사에는 산업계를 대표한 삼성전자, SK하이닉스가 참여하여 '민관공동투자 반도체 고급인력양성사업 투자협력 양해각서'를 체결하고 총사업비 2228억 원을 정부와 함께 투자하기로 했다.

산업부는 지난 7월 21일(목) 발표한 ‘반도체 초강대국 달성전략’의 후속 조치로 반도체 석박사 고급인력양성을 위한 민관공동 연구 개발(R&D)사업을 산업계 및 전문기관과 함께 준비해 왔다.

민관공동 연구 개발(R&D)사업은 석박사과정 인력이 산업계 수요 R&D과제를 수행하여 기업이 요구하는 전문역량을 보유한 고급인력으로 양성되는 사업으로 기업이 직접 발굴·제안한 연구 개발(R&D)과제를 통해 기업은 대학의 인력을 활용하여 핵심 원천기술을 확보하고, 대학은 기업의 연구 개발(R&D)과제 수행을 통해 기업과의 기술 간극을 해소하여 실전경험을 보유한 전문인력을 양성한다.

이를 통해 향후 10년간 2,365명 이상의 실전형 석박사 고급인력을 배출할 수 있을 것으로 기대된다.

반도체 업계와 산업부는 민관공동 연구 개발(R&D)사업을 위해 반도체 인력양성과 연구개발 생태계 조성을 위한 투자 참여 및 협력 지원 등의 업무 협약(MOU)을 체결했다.

정부와 업계는 2023~2032년까지 총사업비 2,228억 원을 50대50으로 투자하여 산업계가 필요한 반도체 전체 분야의 핵심기술 확보 및 실전형 고급인력 양성을 위해 전방위적으로 지원할 예정이다.

또한, 업계는 반도체 첨단기술 확보 및 우수인력 양성을 위한 과제 발굴부터 기업 엔지니어의 기술멘토링을 통한 대학의 산학 연구 개발(R&D) 지원까지 적극 협력하기로 약속했다.

이를 위해, 삼성전자와 SK하이닉스는 올해 민관공동 연구 개발(R&D)과제기획 시 반도체 선단기술개발 및 애로기술 해소를 위한 과제발굴에 적극적으로 참여했으며, 이를 통해 정부는‘23년 R&D과제 47건을 추진한다.

민관공동투자 유치 체결식과 함께 개최된 ‘반도체 발전전략 포럼’은 글로벌 반도체 경제 전망 분석, 삼성전자와 SK하이닉스의 반도체 기술 전망 발표 등을 통해 산학연간의 반도체 정보교류 및 소통의 장이 됐다.

산업부 이용필 첨단산업정책관은“민관공동투자 유치 체결식은 산업기술 패권의 핵심인 반도체 산업의 기술경쟁력 확보 및 우수 인력양성이라는 두 가지 숙제를 민간과 정부가 원팀으로 해결해가는 중요한 첫걸음으로, 정부는 지속적으로 민간과 협력하여 선순환적인 반도체 산업의 생태계 조성를 위해 노력해 나가겠다”라고 말했다.